Description

• Application： Traction drives; Motor drives; Industrial converters
• Features： Two thyristors integrated on one silicon wafer
• RT： 0.260
• VTO： 1.00 V
• ITSM： 32.5 kA
• VDRM： 19389.25 A
• VDSM： 3600~4200 V
• M.TSTG： -40
• M.H： 34.8
• M.TVJ： -40