Description

• Application： Traction drives; Motor drives; Industrial converters
• Features： Two thyristors integrated on one silicon wafer
• RT： 4.30
• VTO： 1.24 V
• ITSM： 2.8 kA
• ITAV： 1389.25 A
• VDSM： 5400~6500 V
• M.TSTG： -40
• M.H： 34.7
• M.TVJ： -40