Description
• Parameters: 7A600V
• Description: SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-Cell 平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。 Download the latest English version SVF7N60CF(S)(K)(MJ)(D)(T)
• Features: 7A,600V,R DS(on)( 典型值 ) =0.96Ω@V GS =10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快
• Applications: General Purpose
• Voltage: 600V
• Current: 7A

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